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產品介紹

SifreeX-HL

SifreeX-HL為不含矽之高導熱墊片,具有高導熱,絕緣,柔軟,無矽氧烷及低介電之特性。

產品介紹

何謂散熱材?

近年來,隨著電子零部件的發展趨於高性能化、小型化,
其產生的熱量及熱密度也隨之提高,所以散熱方案也越來越重要。

如右圖所示,散熱材料多用於CPU等熱源與散熱器之間。

CPU
與散熱器的材質都比較硬,不具備補差性,
而兩者表面都存在微細的凹凸不平,
因此,僅僅是將兩者直接貼附在一起並不能實現完全的緊密貼合,
而是中間會產生微小的縫隙,導致接觸面積下降,降低散熱效率。

因此,在CPU和散熱器之間需要使用散熱材料,
來加大接觸面積,提高散熱效率。
而散熱材料的柔軟性、補差性、優異的導熱性便極為重要。

散熱材作用


SifreeX-HL的特徵

SifreeX-HL的特徵

SifreeX-HL的用途事例

SifreeX-HL的高導熱、柔軟、絕緣、無矽氧烷、低揮發的特徵,可滿足ADAS相機及HDD等的高要求。
SifreeX-HL的用途事例

配方設計技術

導熱粒子的設計&控制技術

憑藉獨創的配方設計技術,
實現了高導熱、柔軟、絕緣、無矽氧烷、低介電等特性




配方設計技術

對異向性導熱粒子進行定向排列,
即便添加量低也可以有效形成散熱路徑,進而提高到熱效率和柔軟性



導熱粒子的設計&控制技術


與競品的無矽氧烷絕緣散熱片的性能比較

 SifreeX-HL不僅高導熱、柔軟、絕緣,而且不會發矽氧烷。現有的7W、10W兩款品級,甚至超過了競品5W以下散熱片的柔軟性

與競品的無矽氧烷絕緣散熱片的性能比較

 

積水散熱材料 SifreeX-HL的優勢

1.高導熱率

我們認為,下面的測試結果非常接近真機使用時的實際性能
按照ASTM D5470方法,對導熱率、熱阻率進行測定。
SifreeX-HL與友商的散熱片相比,即便在低壓縮率狀態下也可實現低熱阻率(=高散熱性)。
高導熱率

2.柔軟,低壓縮應力

什麼材料需要具

散熱片多被用於CPU等晶片與散熱器之間的導熱。
一般情況下,也多將散熱片壓縮2050%後用使用。
因此,如果壓縮時的反彈力過高,將會對CPU造成較大負荷,
使主機板彎曲、焊點裂化等,出現各種不良。

SifreeX-HL
的壓縮應力很低,可有效降低其對CPU造成的應力負荷,
也可以降低主機板變形、焊點裂化等風險,進而為提升設備的可靠性。
另外,它的可壓縮性很大,所以即便是多層結構且工公差較大的零部件,也能夠有效散熱。
柔軟,低壓縮應力

 

不是以硬度,而是將壓縮強度作的原

散熱片的硬度,多指壓縮時散熱片表面的壓縮硬度,這與實際裝機時將散熱片壓縮2050%的反彈應力不可同日而語。
因此,積水化學將實際裝機時的20~50%的壓縮應力作為柔軟性的指標。

導熱率和壓縮強度的關

一般情況下,為了提高散熱片的導熱率,需要增加導熱粒子的添加量。
所以,導熱率越高,壓縮應力(=對電子零部件造成的負荷)也會越高。
SifreeX-HL的壓縮應力甚至低於常規的5W散熱片的壓縮應力。

壓縮強度一覽表

無矽壓縮絕緣片的壓縮應力曲線
無矽壓縮絕緣片的壓縮應力曲線

SifreeX-HL的導熱率更高,且更柔軟

3.無矽氧烷・低揮發

低分子量的矽氧烷會帶來什麼風險?

低分子量的矽氧烷氣體具有很強的揮發性,遇熱後,

揮發出二氧化矽(SiO2),可致使電子器件斷路。

SifreeX-HL不含矽,所以不會揮發出矽氧烷氣體,

更不會帶來斷路的風險。

 

揮發氣體會帶來什麼風險?

散熱片所採用的原材料,樹脂、可塑劑、添加劑等都會揮發氣體。

而因為鏡片的溫度會隨著外界的溫度而變化,所以這些氣體會附著並固化在鏡片上,致使鏡片發白。

這種現象被稱為“霧化”。這中霧化效果會對ADAS相機等設備造成極端危險的影響,所以,散熱片的揮發性便極為重要。

無矽氧烷・低揮發
散熱片的揮發性

 

SifreeX-HL是非矽散熱片,不會揮發矽氧烷。

不僅如此,它揮發氣體的總量也很少,所以不易造成鏡片霧化。
無矽氧烷低揮發數值表

 

Technical Data Sheet

Properties

Method

 

SifreeX HL-070

SifreeX HL-100

Thickness [mm]

-

 

0.5 ~ 4.0

0.5 ~ 4.0

Thermal conductivity [W/mK]

ASTM D5470

 

7

10

Thermal resistance [K/W]

ASTM D5470

@10% compression

3.04

2.32

@30% compression

2.60

2.17

Hardness

Shore OO

 

70

68

Asker C

 

40

41

Compression strength [kPa]

Sekisui method

@30% compression

1,400

750

Strain release @30% compression [kPa]

Sekisui method

After 30min.

330

220

Sekisui method

After 300min.

140

111

Insulation property [kV/mm]

JIS C 2110

 

4.7

5.6

Dielectric constant @1MHz

JIS C 2138

 

4.8

3.2

Specific gravity [g/cm3]

JIS Z 8807

 

2.0

1.6

Fogging @100℃, 16h [%]

DIN75201-A

 

6

7

Outgas @125℃, 1h [ppm]

Sekisui method

 

56

84